收藏本站
IRFIZ24E
- DD
R G
5.0 V
V DS
L
D.U.T.
I AS
+
V
140
120
100
80
TO P
BOT TO M
I D
4.2A
7 .2A
10A
t p
0.01 ?
60
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
40
20
V (BR)DSS
0
V D D = 2 5V
A
t p
V DD
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction T emperature (°C)
175
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
V DS
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFIZ34E MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
IRFIZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ46N MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
IRFIZ48NPBF MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
IRFIZ48N MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
IRFL024NTR MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IRFL1006TR MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
相关代理商/技术参数
IRFIZ24EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ24GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK ((NW))
IRFIZ24NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 13A 70mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ24V 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.060ohm, Id=14A)
IRFIZ30 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251VAR